懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程 - 猎人搜索 轻松搜寻全网资源

• file:0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率.mp4
• file:0001--工艺仿真提前梳理（临时）.mp4
• file:0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4
• file:0007--4-7-工艺仿真基础（三）(上).mp4
• file:0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4
• file:0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4
• file:0012--4-12_离子注入仿真（上）.mp4
• file:0011--4-11-sprocess结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS.mp4
• file:0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4
• file:0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4
• file:0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4
• file:0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4
• file:0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理（二）.mp4
• file:0001--3-3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4
• file:0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4
• file:0001--3-7-混合模式（二）-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4
• file:0001--3-11-交流小信号分析（二）.mp4
• file:0001--3-9-缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂量效应）.mp4
• file:0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4
• file:0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4
• file:0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4
• file:0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4
• folder:懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程